Транзисторы КТ827 и КТ973. Мощное зарядное устройство для аккумуляторов — схема Зарубежные аналоги транзисторов КТ827

Очередная конструкция мощного зарядного устройства для кислотных аккумуляторов большой емкости. Данное устройство может с успехом зарядить автомобильные аккумуляторы с емкостью до 120 Ампер. Выходное напряжение зарядного устройства можно регулировать от 0 до 24-х Вольт. Схема отличается от аналогов малым количеством компонентов в обвязке и практически не нуждается в дополнительной настройке.

Мощное зарядное устройство для аккумуляторов — схема

Силовая часть — мощный составной транзистор отечественного производства серии КТ827, выходное напряжение регулируется переменным резистором R2. Выходной ток схемы зарядки зависит от типа и мощности используемого трансформатора.

Сам трансформатор достаточно легко найти в источниках бесперебойного питания, Как право, минимальная мощность таких трансформаторов составляет не менее 200 ватт, а в некоторых, более мощных бесперебойниках вплоть со 1000 ватт. Трансформатор имеет три основных вывода. Сама обмотка (которая в бесперебойнике играет роль первичной обмотки) тут у нас будет понижающей, то есть вторичной. Трансформатор является обычным понижающим сетевым трансформатором, при таком режиме работы на выводах вторичной обмотки образуется переменное напряжение с номиналом 24 Вольт 8-15 Ампер, в зависимости от мощности трансформатора.



Средний вывод трансформатора — отвод от середины, его мы использовать не будем. Два крайних вывода обмотки подключаются к схеме зарядки.

Возможно понадобиться принудительное охлаждение схемы. Для этого можно использовать кулер от компьютерных блоков питания, желательно кулер запитать от отдельного напряжения 12 Вольт, к примеру, можно использовать среднюю точку нашей обмотки и один из концов, выпрямить напряжение обычным мостом и подать на кулер.

С уважением — АКА КАСЬЯН

Т ранзисторы КТ827(2Т827) - кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона), структуры - n-p-n.
Корпус металлостекляный(ТО-3) или пластиковый.
Маркировка буквенно - цифровая, на передней поверхности корпуса. На рисунке ниже - маркировка и цоколевка КТ827.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
- от 750 до 18000 при типовом значении - 6000 .

2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА - не более 3 в.

Граничная частота передачи тока. - 4 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер.
У транзисторов КТ827А, 2Т827А - 100 в.
У транзисторов КТ827Б, 2Т827Б - 80 в.


У транзисторов КТ827В, 2Т827В - 60 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) - 20 А, импульсный - 40 А.

Рассеиваемая мощность коллектора - 125 Вт

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц - не более 400 пФ.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ827.

КТ827А - 2N6059, 2N6284.
КТ827Б - 2N6058.
КТ827В - 2N6057

Транзисторы КТ973

Транзисторы КТ973 - мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура - p-n-p. Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно - цифровая, либо - кодированная, на лицевой части корпуса. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ973.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - свыше 750 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
 У транзисторов КТ973А - - 60 в.
У транзисторов КТ973Б - - 45 в.

Коэффициент передачи тока - от 750 .

Максимальный постоянный ток коллектора - 4 А.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В - 1
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в - 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА - не более 1,5 в.

Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

 

Возможно, будет полезно почитать: